国产14nm已达到台积电标准,加持华为堆叠技术,外媒:拦不住了

华为曾经在2020年占有了将近50%的国内市场,并且华为在海外取得了巨大的成功,并在欧洲市场上站稳了脚跟,这对三星和苹果来说是一个巨大的威胁。众所周知,麒麟是华为手机的灵魂所在,美国全面打压华为,禁止台积电生产麒麟芯片,华为更是无法获得高通最新推出的5 G芯片。华为这两年来一直憋着“大招”Mate50,现在却只能用高通骁龙8Gen1来替高通清仓,这也太让人郁闷了!

还有就是美国全面打压中国的晶圆行业,不向华为销售高通5 G芯片,美国也不允许 ASML向中国销售 EUV光刻机,并且怂恿盟友将华为的5 G基站拆除,美国近期也停止供应 EDA软件。

美国这次的目标很明确,就是要让我们在14 nm以上的芯片生产,让我们的芯片设计能力被限制在3 nm以下,这对中国的科技界来说,是一个巨大的打击!

所以,如果我们想要打破美国的封锁,那么我们就必须放弃对芯片的痴迷,将所有的技术都用在自己的身上!但现在的问题是,如果都是国产的,能生产出几 nm的芯片?

上整个芯片的生产过程。其中最重要的就是蚀刻和光刻,之前美国还禁止蚀刻机,不过中微公司在刻蚀技术上取得了巨大的突破,现在的技术已经达到了5 nm的程度,这一次的封锁也就没有任何意义了。

国内技术的替代,最落后的还是光刻机,上海微电子的制程还停留在90 nm,而 ASML现在却能制造出3 nm,技术上的巨大差距。但上海微电子曾说过,他们将于2021-2022年首次发布28纳米光刻机。

中芯国际的14 nm芯片产能,与台积电的90%相差无几,据报道,中芯国际准备在天津投资75亿美元,以28纳米至180纳米技术为主。

所以,如果所有的技术都是国产的,那就是90 nm,而上海微电子的28 nm光刻机,也就意味着,国内的芯片技术,将会更上一层楼。事实上,大部分的设备,都不需要5 nm、7 nm这样的工艺,28 nm就能满足80%、90%的芯片需求,中国的芯片瓶颈问题,已经得到了解决

更何况,华为已经悄无声息的研究出了一种3D叠层技术,这是华为早就拿到的“黑科技”。这种技术能够将两块28 nm芯片叠加起来,达到相当于14 nm乃至7 nm的性能,即“性能”与“数量”的转换。所以,如果28 nm技术可以实现全链路的国产化,那么华为就有机会使用3D叠层芯片了,国外媒体认为,只要中国的芯片突破,华为就会卷土重来!

还记得余承东,华为的消费者部门首席执行官,曾经说过,2023年华为将成为王者!你认为华为还能东山再起?

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