kmalloc的内存区域是否可能比模块范围的普通内存更快？

问题描述

内核是一个较旧的3.1.x版本，主板是带有外部NAND闪存的S3C2416。

我为一个错误而苦恼，该错误导致NAND闪存的ECC在3x8字节的ECC或多或少固定位置产生一位翻转的可能性非常大，而ECC是根据单个NAND页的256x8字节计算得出的。我已经确保这不是NAND介质问题，因为在将ECC发送到NAND控制器之前就已观察到位翻转。 ECC可以是从NAND控制器生成的HWECC，也可以是从内核代码生成的软件ECC，无论哪种情况，它总是有机会通过一次翻转产生错误的ECC。因此，这也不是NAND控制器的故障。

计算得出的ECC被保存在内核的缓冲区中：chip-> ecc-> calc_buf，该缓冲区是从kmalloc（mtd-> oobsize，GFP_KERNEL）分配的，其中oobsize =64。我的最终发现是：如果我不这样做，转到kmalloc（），但仅将预分配的缓冲区（作为nand_base.c模块中的静态变量）分配给chip-> ecc_buf，同一测试永远无法产生错误。代码的更改如下：

static unsigned char my_buff[oobsize];
...
chip->ecc->calc_buf = my_buff;

在此之前的另一个发现是：仍然使用kmalloc，但是在NAND读/写操作之后插入了一些延迟，同一测试也无法产生错误。

基于这些事实，对我来说，唯一合理的解释是：kmalloc缓存比模块内静态缓存要快。因此，访问模块内缓冲区实际上等于隐式插入一些延迟。您认为我的猜测可能是正确的吗？我认为kmalloc-ed缓冲区至少是字对齐的，但是我也认为my_buff通常也应该对齐。

BTW：ECC位翻转的模式非常有趣，几乎90％的情况下，当错误发生在同一页的可读写页面上时，它们都是相同的错误：

correct ECC:
  5a a9 a6 a5 69 a6 00 **30** 33 69 59 56 3f c3 cf 56 99 66 ff 03 33 6a a9 66  
incorrect ECC:
  5a a9 a6 a5 69 a6 00 **10** 33 69 59 56 3f c3 cf 56 99 66 ff 03 33 6a a9 66

对于重置的10％，它们仍然是“ 1”变为“ 0”，只是发生在不同的位置。（我实际上很想想，这是一个'0'未能更新为'1'）。

谢谢。木本

解决方法

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