问题描述
我的Intel(R) Core(TM) i7-4720HQ cpu @ 2.60GHz
笔记本电脑上有一个Haswell
(Asus
)处理器。芯片组数据表包括Datasheet,volume 1 (M- and H-processor lines)和Datasheet,volume 2 (M- and H-processor lines)。我想使用DRAM
掉电模式。它们在第1卷的第64页中进行了描述:
似乎有一个PM_PDWN_config_0_0_0_MCHBAR
寄存器来控制此电源管理机制。在同一页的底部,提到仅在BIOS
未锁定IMC
寄存器的情况下才能更改它们:
有关PM_PDWN
寄存器的说明,请参见第2卷的第247页,如下所示:
我使用ioread32()
在内核模块中读取了该寄存器的值,它的值为0x6080
。但是我无法修改任何位(使用iowrite32()
)。从上图中可以看出,有意义位(即位0-15
)的访问方法是RW_L
。该定义在第2卷的第18页的表2 :
这可能意味着寄存器已被BIOS
锁定。我还更新了BIOS
固件,似乎与这些位无关。
自刷新配置寄存器(第2卷的第252 页)也是如此:
访问方法也是RW_L
,并且检索到的值0x10200
无法修改。
这是否意味着我无法使用RW_L
标志更改任何位?
换句话说,我可以执行任何手动 DRAM电源管理吗?
如果原因是BIOS
锁定,我可以编写UEFI
应用程序并解锁寄存器吗? BIOS
在这里似乎太强壮了。我测试的寄存器的RW_L
位中的没有可以修改。
解决方法
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