问题描述
当写入Cortex M0上的设备寄存器（在我的情况下是STM32L073）时，会出现一个问题，即在a）排序对设备内存的访问以及b）确定对外围设备进行更改时应该多加小心配置实际上已经完成，以至于任何依赖项都变为有效。
以一个特定的示例将内部稳压器更改为其他电压。您将更改写入PWR-> CR，并从PWR-> CSR读取状态。我看到了执行以下操作的代码：
Write to PWR->CR to set the voltage range
Spin until (PWR->CSR & voltage flag) becomes zero
在我看来，这里有三个问题：
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访问顺序。这是设备内存，因此相对于其他设备访问事务保留了事务顺序。我认为这意味着在写入CR和从CSR读取之间不需要DSB。一个链接的问题及其答案是：[ARM CortexA]Difference between Strongly-ordered and Device Memory Type
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可以缓冲设备存储器。从CSR进行读取时，是否有可能继续写入CR。这将意味着电压标志将清除并且代码将继续。实际上，国旗还没有涨！
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硬件响应时间。在写入和最终效果之间是否存在延迟？实际上，应该始终对此进行记录-对于STM32，文档中的文档明确地说，当CR寄存器更改时，该标志就被设置了。
这里是否存在比赛条件的可能性？真正让我担心的是缓冲-外设读取发生时外设写仍在进行中。
解决方法
访问顺序。
访问被严格地排序，并且您不需要屏障指令来回读同一寄存器。
可以缓冲设备内存。是否有可能写入CR
是的，有可能。但这不是因为缓冲，而是因为总线传播时间。特定操作可能需要花费多个时钟才能通过所有网桥。
硬件响应时间。在写入和写入之间是否存在延迟 效果成为最终决定
即使存在延迟，从您的角度来看也不重要。如果您将CR寄存器中的位置1，然后等待状态寄存器中的结果。只需等待状态位具有期望值即可。