问题描述
当使用带有 Arduino EEPROM library 的 ESP8266 集成（闪存）存储器存储单个布尔值时，我正在尝试实现更长的存储器写入寿命。单个硬件内存位置不能无限更改，我正在尝试找到一种有效的解决方案，以延长多个不同（类似）平台上的内存使用写入周期的寿命。
一些消息来源确定单个 EEPROM 存储器（位）位置的实际写入周期量约为 100k - 1M 写入（当然，这取决于所使用的硬件而有很大差异）。 One test I found measured 9584038 passed write cycles with Arduino 但如果可能的话，我仍然想延长内存写入周期。
据我所知，无法使用 EEPROM 库访问单个位，并且您只能存储和读取 8 位字节值。
使用 Arduino EEPROM 库存储布尔值的最简单解决方案可以将 FALSE 存储为 0 值，将 TRUE 存储为 1（例如).
问题是：这种（“位移”）方法（下图）与仅将 0 和 1 值写入相比有什么不同吗？单个 Arduino EEPROM（8 位）内存地址。这种方法背后的想法只是在更改用作布尔值的实际 Arduino EEPROM 存储器（8 位）地址值时更改单个位（位的反向奇偶校验 00000000 = false,{ {1}} = 00000001、true = 00000011、false = 00000111 等）。或者我应该删除 Arduino EEPROM 库并以其他方式执行此操作？在使用 Arduino EEPROM 库时，我试图弄清楚引擎盖下发生了什么，但无法理解它在微芯片内部的实际工作原理。
“Red Block”代表更改的位 - “DECVAL”是实际存储的 Arduino EEPROM 无符号字符值。所以实际存储的（无符号）字符值循环将是 true,0,1,3 ... 7,224,192、128、0 ...
解决方法
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