NMOS 漏极负电压

问题描述

在NMOS中， 什么时候，

            Vgs = Vth
            Vds < (Vgs - Vth = 0)
            so,Vds is -ve,

所以最初我想在 nmos 中，如果 Vds 是 -ve，则 Id 方向反转并且 电子在n沟道中从漏极流向源极，因此反向电流增加。

我在 LTSpice 中进行了模拟，看到反向电流类似于 -617Amps，但为什么这么高？ （这里我认为发生了一些概念上的错误，那是什么？）

解决方法

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